A Universidade de Ciência e Tecnologia de Huazhong publicou recentemente um documento afirmando que desenvolveu uma memória de mudança de fase com o menor consumo de energia do mundo.
A tecnologia big data exige alto padrão de desempenho da memória, especialmente computação neuromórfica e edge computing, que precisam urgentemente de memória com consumo de energia extremamente baixo.
Entre os novos tipos de memória, a memória de mudança de fase (PCM) é a tecnologia de armazenamento mais compatível com o processo CMOS e possui uma tecnologia mais consolidada.
Em 2015, a Intel e a Micron lançaram o chip de memória de mudança de fase tridimensional, o Optane, que é mil vezes mais rápido e dura mil vezes mais que um SSD.
No entanto, como o meio de armazenamento precisa ser resfriado durante o processo de mudança de fase, o consumo de energia desse tipo de memória é extremamente alto e com grave geração de calor.
A fim de resolver o problema do gargalo de alto consumo de energia, a Universidade de Ciência e Tecnologia de Huazhong e a Universidade Jiaotong de Xi’an desenvolveram uma estrutura de fase amorfa reticulada.
O consumo de energia da memória é menor que 0,05pJ, que é mil vezes menor que os produtos convencionais. Além do baixo consumo de energia, a memória de mudança de fase tem vantagens de boa consistência e longa vida útil.
Fonte: IT Home
