A China anunciou o desenvolvimento de uma nova tecnologia que permite produzir chips maiores e com menor custo. A base de carbeto de silício de 12 polegadas, usada na fabricação de semicondutores de nova geração, já está pronta para produção em escala industrial e deve impactar setores como veículos elétricos, energia solar e redes elétricas.
O carbeto de silício é o principal material dos semicondutores de terceira geração. Em comparação com o silício tradicional, ele opera em tensões, temperaturas e frequências mais altas. Na prática, dispositivos de SiC permitem reduzir o tamanho dos componentes e diminuir o consumo de energia em cerca de 30% para a mesma potência, o que atende às demandas de eficiência e estabilidade desses setores.
Até recentemente, o padrão industrial eram wafers de 6 polegadas, enquanto os de 8 polegadas avançavam de forma gradual na industrialização. O interesse por wafers maiores ocorre porque eles acomodam mais chips por unidade, o que reduz o custo de produção. Quanto maior o diâmetro, maior a escala e menor o custo por chip.
O wafer epitaxial de SiC de 12 polegadas permite produzir 4,4 vezes mais chips do que um wafer de 6 polegadas e 2,3 vezes mais do que um de 8 polegadas. Mantido o mesmo processo produtivo, o volume cresce de forma significativa. Para fabricantes de dispositivos de potência, a redução de custos pode alcançar, de forma conservadora, pelo menos 30%.
Diferentemente de avanços restritos a laboratórios, a tecnologia já atende aos requisitos industriais. Os dados indicam não uniformidade da camada epitaxial inferior a 3%, variação de dopagem controlada em até 8% e rendimento de chips acima de 96%, parâmetros compatíveis com produção em larga escala.
Outro ponto central é a origem da cadeia produtiva. Os equipamentos-chave e os substratos utilizados são fornecidos por empresas chinesas. Historicamente, o setor de semicondutores enfrentou restrições ligadas à dependência de insumos importados. Com o wafer de SiC de 12 polegadas, a cadeia passa a operar com tecnologia doméstica, o que amplia autonomia, escala e previsibilidade na expansão produtiva.
O desenvolvimento foi liderado pela Epiworld International, com sede em Xiamen. A empresa foi a primeira da China a fornecer comercialmente wafers epitaxiais de SiC de 3, 4 e 6 polegadas em escala. Em 2023, tornou-se a maior fornecedora global do segmento e, em 2024, alcançou participação de mercado superior a 31%. O avanço para 12 polegadas resulta de mais de uma década de desenvolvimento tecnológico contínuo.
No cenário global, a indústria de semicondutores avança para wafers de grande diâmetro. O domínio dessa tecnologia define a liderança na próxima fase dos semicondutores de terceira geração. O lançamento do wafer de SiC de 12 polegadas posiciona a China entre os principais atores desse movimento e fortalece cadeias industriais ligadas à eletrificação e à transição energética.
Os impactos práticos já são identificáveis. Em veículos elétricos, controladores de motor e carregadores embarcados ganham eficiência e ampliam a autonomia. No setor fotovoltaico, inversores reduzem perdas e podem elevar a geração em até 10%. Em redes elétricas inteligentes, a tecnologia permite transmissão em tensões mais altas, com menor dissipação de energia.
Com a produção em massa de wafers de 12 polegadas, essas aplicações entram em uma fase de maior escala e menor custo. O avanço reflete a coordenação entre fabricantes de equipamentos, fornecedores de materiais e equipes de pesquisa e manufatura, consolidando a capacidade industrial da China em semicondutores de terceira geração.
Fonte: news.qq.com
